Proposal of Vertical-Channel Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor with Entirely Oxidized Silicon Beam Isolation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-04, Vol.48 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Sugimura, Atsushi, Okuyama, Kiyoshi, Sunami, Hideo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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