Accurate Extraction of Excess Channel Thermal Noise Coefficient in Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field-Effect Transistor Model 4

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-04, Vol.48 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Jeon, Jongwook, Lee, Jaehong, Park, Chan Hyeong, Lee, Hyunwoo, Oh, Hansu, Kang, Ho-Kyu, Park, Byung-Gook, Shin, Hyungcheol
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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