Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth Parameter Dependence of Phase Separation in Miscibility Gap of InGaAsP

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2008-02, Vol.47 (2R), p.896
Hauptverfasser: Ono, Kenichi, Takemi, Masayoshi, Fujiwara, Yasufumi
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.47.896