Effect of O 2 Gas during Inductively Coupled O 2 /Cl 2 Plasma Etching of Mo and HfO 2 for Gate Stack Patterning

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2008-08, Vol.47 (8S2), p.6938
Hauptverfasser: Jung, Ho Young, Lee, Hag Joo, Kwon, Bong Soo, Park, Jung Ho, Lee, Chiyoung, Ahn, Jinho, Lee, Jaegab, Lee, Nae-Eung
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.47.6938