Effect of O 2 Gas during Inductively Coupled O 2 /Cl 2 Plasma Etching of Mo and HfO 2 for Gate Stack Patterning
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2008-08, Vol.47 (8S2), p.6938 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.1143/JJAP.47.6938 |