Photoluminescence Properties Affected by Carrier Transport between X and Different First Excited States Originating from Interface Imperfection in GaAs/AlAs Multi-Quantum Wells

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-01, Vol.47 (1S), p.682
Hauptverfasser:	Endo, Hiroyuki, Hiratsuka, Shingo, Kitamura, Hiroshi, Takamatsu, Toshinari, Hosoda, Makoto, Ohtani, Naoki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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