Effect of Excitonic Interactions on Abnormal Luminescence Behaviour of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with Electron Tunneling Layer

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-01, Vol.47 (1S), p.679
Hauptverfasser:	Wu, Gwo-Mei, Cheng, Kung-Yu, Fang, Chia-Hui, Nee, Tzer-En, Wang, Jen-Cheng, Chen, Nie-Chuan, Hu, Yeu-Jent, Lee, Jiunn-Chyi, Wu, Ya-Fen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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