Characteristics of Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with HfO 2 /SiO 2 /Si and HfO 2 /SiO x N y /Si Stack Structures Formed by Remote Plasma Technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-08, Vol.47 (8R), p.6196
Hauptverfasser:	Woo, Sanghyun, Hong, Hyungseok, Kim, Seokhoon, Kim, Hyungchul, Kim, Jinwoo, Jeon, Hyeongtag, Bae, Choelhwyi, Okada, Takayuki, Sawada, Kazuaki, Ishida, Makoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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