GaN Growth on Si(111) Using Simultaneous AlN/α-Si 3 N 4 Buffer Structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-07, Vol.47 (7R), p.5572
Hauptverfasser:	Chang, Jet Rung, Yang, Tsung Hsi, Ku, Jui Tai, Shen, Shih Guo, Chen, Yi Cheng, Wong, Yuen Yee, Chang, Chun Yen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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