Strain Relaxed High Quality Silicon–Germanium-on-Insulator Substrates Formed by Pulsed Laser Irradiation Technology

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-04, Vol.47 (4S), p.3015
Hauptverfasser:	Wang, Grace Huiqi, Toh, Eng-Huat, Wang, Xincai, Hoe, Keat-Mun, Tripathy, Sudhinranjan, Samudra, Ganesh S., Yeo, Yee-Chia
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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