Improving the Cell Characteristics Using SiN Liner at Active Edge in 4 Gbits NAND Flash Memories

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-04, Vol.47 (4S), p.2676
Hauptverfasser:	Kang, Daewoong, Jang, Sungnam, Lee, Kyongjoo, Kim, Jinjoo, Chang, Dongwon, Kwon, Hyukje, Lee, Wonseong, Park, Il-Han, Kim, Jun Su, Lee, Jae Hong, Park, Byung-Gook, Lee, Jong Duk, Shin, Hyungcheol
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!