Recessed Channel Fin Field-Effect Transistor Cell Technology for Future-Generation Dynamic Random Access Memories

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-04, Vol.47 (4S), p.2672, Article 2672
Hauptverfasser:	Yoshida, Makoto, Kahng, Jae-Rok, Moon, Joon-Seok, Jung, Kyoung-Ho, Kim, Keunnam, Sung, Hyunju, Lee, Chul, Kim, Chang-Kyu, Yang, Wouns, Park, Donggun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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