An Investigation on Hot-Carrier Reliability and Degradation Index in Lateral Diffused Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-04, Vol.47 (4S), p.2641, Article 2641
Hauptverfasser:	Tian, Kuen-Shiuan, Chen, Jone F., Chen, Shiang-Yu, Wu, Kuo-Ming, Lee, J. R., Huang, Tsung-Yi, Liu, C. M., Hsu, S. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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