Nitrogen Gas Flow Ratio and Rapid Thermal Annealing Temperature Dependences of Sputtered Titanium Nitride Gate Work Function and Their Effect on Device Characteristics

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-04, Vol.47 (4S), p.2433
Hauptverfasser:	Liu, Yongxun, Hayashida, Tetsuro, Matsukawa, Takashi, Endo, Kazuhiko, Masahara, Meishoku, O'uchi, Shinich, Sakamoto, Kunihiro, Ishii, Kenichi, Tsukada, Junichi, Ishikawa, Yuki, Yamauchi, Hiromi, Ogura, Atsushi, Suzuki, Eiichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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