Characteristics of Pure Ge 3 N 4 Dielectric Layers Formed by High-Density Plasma Nitridation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2008-04, Vol.47 (4S), p.2415
Hauptverfasser: Kutsuki, Katsuhiro, Okamoto, Gaku, Hosoi, Takuji, Shimura, Takayoshi, Watanabe, Heiji
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.47.2415