Threshold Voltage Modulation Technique using Fluorine Treatment through Atomic Layer Deposition TiN Suitable for Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-04, Vol.47 (4S), p.2345
Hauptverfasser:	Tai, Kaori, Yamaguchi, Shinpei, Tanaka, Kazuki, Hirano, Tomoyuki, Oshiyama, Itaru, Kazi, Salam, Ando, Takashi, Nakata, Masashi, Yamanaka, Mayumi, Yamamoto, Ryo, Kanda, Sayuri, Tateshita, Yasushi, Wakabayashi, Hitoshi, Tagawa, Yukio, Tukamoto, Masanori, Iwamoto, Hayato, Saito, Masaki, Nagashima, Naoki, Kadomura, Shingo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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