Behavior of Hydrogen in Excimer Laser Annealing of Hydrogen-Modulation-Doped Amorphous Silicon Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-03, Vol.47 (3S), p.1853
Hauptverfasser:	Heya, Akira, Serikawa, Tadashi, Kawamoto, Naoya, Matsuo, Naoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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