Study of the n + GaN Cap in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Reduced Source–Drain Resistance

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-09, Vol.46 (9L), p.L842
Hauptverfasser:	Pei, Yi, Shen, Likun, Palacios, Tomas, Fichtenbaum, Nicholas A., Mccarthy, Lee S., Keller, Stacia, DenBaars, Steven P., Mishra, Umesh K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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