Band-to-Band Hot-hole Erase Characteristics of 2-Bit/cell NOR-type Silicon–Oxide–Nitride–Oxide–Silicon Flash Memory Cell with Spacer-type Storage Node on Recessed Channel Structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-09, Vol.46 (9L), p.L798
Hauptverfasser:	Han, Kyoung-Rok, Jung, Han-A-Reum, Lee, Jong-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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