Low-Temperature Fabrication of Nickel Silicide Metal Oxide Semiconductor Capacitors at 280 °C by Metal Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2007-06, Vol.46 (6L), p.L506 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.1143/JJAP.46.L506 |