Low-Temperature Fabrication of Nickel Silicide Metal Oxide Semiconductor Capacitors at 280 °C by Metal Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2007-06, Vol.46 (6L), p.L506
Hauptverfasser: Oyama, Naoki, Ogura, Yuzuru, Mitake, Yoshihiko, Tomita, Yugo, Sakamoto, Hitoshi, Nagase, Shinichi, Watanabe, Masaru, Fujiwara, Naoto, Ohshima, Shigetoshi, Hirose, Fumihiko
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.46.L506