A Vertical Insulated Gate AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-06, Vol.46 (6L), p.L503
Hauptverfasser:	Kanechika, Masakazu, Sugimoto, Masahiro, Soejima, Narumasa, Ueda, Hiroyuki, Ishiguro, Osamu, Kodama, Masahito, Hayashi, Eiko, Itoh, Kenji, Uesugi, Tsutomu, Kachi, Tetsu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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