830-nm Polarization Controlled Lasing of InGaAs Quantum Wire Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Grown on (775)B GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-02, Vol.46 (2L), p.L138
Hauptverfasser:	Higuchi, Yu, Osaki, Shinji, Sasahata, Yoshifumi, Kitada, Takahiro, Shimomura, Satoshi, Ogura, Mutsuo, Hiyamizu, Satoshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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