Gate Insulator Inhomogeneity in Thin Film Transistors Having a Polycrystalline Silicon Layer Prepared Directly by Catalytic Chemical Vapor Deposition at a Low Temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-12, Vol.46 (12L), p.L1228
Hauptverfasser:	Cho, Hyun-Jun, Hong, Wan-Shick, Lee, Sung-Hyun, Kim, Tae-Hwan, Lee, Kyung-Min, Park, Kyung-Bae, Jung, Ji-Sim, Kwon, Jang-Yeon
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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