High-Quality Polycrystalline Silicon Films with Minority Carrier Lifetimes over 5 µs Formed by Flash Lamp Annealing of Precursor Amorphous Silicon Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-11, Vol.46 (11R), p.7198
Hauptverfasser:	Ohdaira, Keisuke, Nishizaki, Shogo, Endo, Yohei, Fujiwara, Tomoko, Usami, Noritaka, Nakajima, Kazuo, Matsumura, Hideki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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