Growth Mechanism of GaAs Microdisk Structures by Area-Selective Epitaxy Using Migration-Enhanced Epitaxy

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Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2007-02, Vol.46 (2R), p.514
Hauptverfasser: Iwai, Takayuki, Toda, Takeshi, Uehara, Takahiro, Yoshiba, Ippei, Horikoshi, Yoshiji
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.46.514