Impact of SiN on Performance in Novel Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Architecture Using Substrate Strained-SiGe and Mechanical Strained-Si Technology

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-05, Vol.46 (5R), p.2882
Hauptverfasser:	Lin, Chung Hsiung, Wu, San Lein, Wu, Chung Yi, Kang, Ting Kuo, Huang, Kuang Chih, Chang, Shoou Jinn
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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