Enhancement Mode Operation and Ultraviolet Responsivity of n-Channel GaN Metal–Insulator–Semiconductor Field Effect Transistor with Schottky Barrier Source and Drain

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-04, Vol.46 (4S), p.2348
Hauptverfasser:	Lee, Heon-Bok, Cho, Hyun-Ick, An, Hyun-Su, Lee, Jung-Hee, Hahm, Sung-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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