Full-Bit Functional, High-Density 8 Mbit One Transistor–One Capacitor Ferroelectric Random Access Memory Embedded within a Low-Power 130 nm Logic Process

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-04, Vol.46 (4S), p.2180
Hauptverfasser:	Udayakumar, K. R., Moise, T. S., Summerfelt, S. R., Boku, K., Remack, K. A., Gertas, J., Haider, A., Obeng, Y., Martin, J. S., Rodriguez, J., Shinn, G., McKerrow, A., Eliason, J., Bailey, R., Fox, G. R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!