Low-Power Switching of Nonvolatile Resistive Memory Using Hafnium Oxide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-04, Vol.46 (4S), p.2175
Hauptverfasser:	Lee, Heng-Yuan, Chen, Pang-Shiu, Wang, Ching-Chiun, Maikap, Siddheswar, Tzeng, Pei-Jer, Lin, Cha-Hsin, Lee, Lurng-Shehng, Tsai, Ming-Jinn
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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