Resistance Switching Characteristics for Nonvolatile Memory Operation of Binary Metal Oxides

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-04, Vol.46 (4S), p.2172
Hauptverfasser:	Park, In-Sung, Kim, Kyong-Rae, Lee, Sangsul, Ahn, Jinho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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