Roles of Ti, TiN, and WN as an Interdiffusion Barrier for Tungsten Dual Polygate Stack in Memory Devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-04, Vol.46 (4S), p.2134
Hauptverfasser:	Sung, Min Gyu, Lim, Kwan-Yong, Cho, Heung-Jae, Lee, Seung Ryong, Jang, Se-Aug, Kim, Yong Soo, Joo, Moon Sig, Lee, Ju-Hee, Kim, Tae-Yoon, Yang, Hong-Seon, Pyi, Seung-Ho, Kim, Jin Woong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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