Hot-Carrier Degradation and Electric Field and Electron Concentration near Drain Junction in Low-Temperature N-Channel Single Drain and Lightly Doped Drain Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-03, Vol.46 (3S), p.1322
Hauptverfasser:	Usami, Gen, Nogami, Yukisato, Yajima, Toshihisa, Yamagata, Masahiro, Satoh, Toshifumi, Tango, Hiroyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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