Concentration Study of Deep-Level Cu Center in Cu-Diffused Si Crystals by Deep-Level Transient Spectroscopy and Photoluminescence Measurements

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-01, Vol.45 (1L), p.L80
Hauptverfasser:	Nakamura, Minoru, Murakami, Susumu, Hozoji, Hiroshi, Kawai, Naoyuki J., Saito, Shigeaki, Arie, Hiroyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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