Growth and Charactertics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-07, Vol.45 (7L), p.L697
Hauptverfasser:	Yan, Fawang, Nishino, Katsushi, Sakai, Shiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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