Growth of GaN Directly on Si(111) Substrate by Controlling Atomic Configuration of Si Surface by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-05, Vol.45 (5L), p.L478
Hauptverfasser:	Takemoto, Kikurou, Murakami, Hisashi, Iwamoto, Tomoyuki, Matsuo, Yuriko, Kangawa, Yoshihiro, Kumagai, Yoshinao, Koukitu, Akinori
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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