Amorphous Silicon Film Deposition by Low Temperature Catalytic Chemical Vapor Deposition (<150 °C) and Laser Crystallization for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Application

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-03, Vol.45 (3L), p.L227
Hauptverfasser:	Lee, Sung-Hyun, Hong, Wan-Shick, Kim, Jong-Man, Lim, Hyuck, Park, Kuyng-Bae, Cho, Chul-Lae, Lee, Kyung-Eun, Kim, Do-Young, Jung, Ji-Sim, Kwon, Jang-Yeon, Noguchi, Takashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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