Room-Temperature CW Operation of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes Fabricated on Sapphire Substrate Using High-Temperature-Grown Single-Crystal AlN Buffer Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-01, Vol.45 (1R), p.73
Hauptverfasser:	Ohba, Yasuo, Iida, Susumu, Nunoue, Sinya
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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