Very Low Interface State Density From Thermally Oxidized Single-Domain 3C–SiC/6H–SiC Grown by Vapour–Liquid–Solid Mechanism

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-09, Vol.45 (9R), p.6823
Hauptverfasser:	Lee, Kin Kiong, Pensl, Gerhard, Soueidan, Maher, Ferro, Gabriel, Monteil, Yves
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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