Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-06, Vol.45 (6S), p.5504
Hauptverfasser:	Suhara, Michihiko, Matsuzaka, Norihiko, Fukumitsu, Masakazu, Okumura, Tsugunori
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!