Electrical Switching Studies of Amorphous Ge 1 Se 1 Te 2 Thin Film for a High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-06, Vol.45 (6S), p.5467
Hauptverfasser:	Lee, Jae-Min, Shin, Kyung, Yeo, Cheol-Ho, Chung, Hong-Bay
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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