Electrical Characteristics of Epitaxial γ-Al 2 O 3 /Si for Quantum Tunneling Device

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-06, Vol.45 (6R), p.5107
Hauptverfasser:	Kim, Jang-Seop, Shahjahan, Mohammad, Mosammat, Halima Khatun, Sawada, Kazuaki, Ishida, Makoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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