Structure, Materials and Shape Optimization of Magnetic Tunnel Junction Devices: Spin-Transfer Switching Current Reduction for Future Magnetoresistive Random Access Memory Application

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-05, Vol.45 (5R), p.3835
Hauptverfasser:	Huai, Yiming, Apalkov, Dmytro, Diao, Zhitao, Ding, Yunfei, Panchula, Alex, Pakala, Mahendra, Wang, Lien-Chang, Chen, Eugene
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!