Experimental Study on Improving Unclamped Inductive Switching Characteristics of the New Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Employing Deep Body Contact

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2006-04, Vol.45 (4S), p.3121
Hauptverfasser: Ji, In-Hwan, Choi, Young-Hwan, Kim, Soo-Seong, Choi, Yearn-Ik, Han, Min-Koo
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.45.3121