Formation of Low-Resistivity Nickel Silicide with High Temperature Stability from Atomic-Layer-Deposited Nickel Thin Film

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-04, Vol.45 (4S), p.2975
Hauptverfasser:	Do, Kwan-Woo, Yang, Chung-Mo, Kang, Ik-Su, Kim, Kyung-Min, Back, Kyoung-Hum, Cho, Hyun-Ick, Lee, Heon-Bok, Kong, Sung-Ho, Hahm, Sung-Ho, Kwon, Dae-Hyuk, Lee, Jong-Hyun, Lee, Jung-Hee
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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