Area-Selective Post-Deposition Annealing Process Using Flash Lamp and Si Photoenergy Absorber for Metal/High-k Gate Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistors with NiSi Source/Drain

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-04, Vol.45 (4S), p.2939
Hauptverfasser:	Matsuki, Takeo, Nishimura, Isamu, Akasaka, Yasushi, Hayashi, Kiyoshi, Noguchi, Masataka, Yamashita, Koji, Torii, Kazuyoshi, Kasai, Naoki, Nara, Yasuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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