Investigation of Surface Pits Originating in Dislocations in AlGaN/GaN Epitaxial Layer Grown on Si Substrate with Buffer Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-04, Vol.45 (4R), p.2531
Hauptverfasser:	Sasaki, Hitoshi, Kato, Sadahiro, Matsuda, Takeyoshi, Sato, Yoshihiro, Iwami, Masayuki, Yoshida, Seikoh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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