Role of AlN/GaN Multilayer in Crack-Free GaN Layer Growth on 5”φ Si (111) Substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2004-12, Vol.43 (No. 12B), p.L1595-L1597
Hauptverfasser:	Sugahara, Tomoya, Lee, Jeong-Sik, Ohtsuka, Kohji
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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