Annealing Effects on Electroluminescence and Laser Operation of InGaAsSbN Quantum Well Diodes grown on InP Substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2004-10, Vol.43 (No. 10A), p.L1320-L1322
Hauptverfasser:	Kawamura, Yuichi, Nakagawa, Tomokatsu, Inoue, Naohisa
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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