Improvement of Crystal Quality of AlGaN Multi Quantum Well Structure by Combination of Flow-Rate Modulation Epitaxy and AlN/GaN Multi-Buffer Layer and Resultant Lasing at Deep Ultra-Violet Region

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2004-10, Vol.43 (No. 10A), p.L1258-L1260
Hauptverfasser:	Takano, Takayoshi, Ohtaki, Yasuyuki, Narita, Yoshinobu, Kawanishi, Hideo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!