Shallow Trench Isolation Top Corner Rounding Using Si Soft Etching Following Diluted Hydrofluorine Solution

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2004-11, Vol.43 (11A), p.7701-7704
Hauptverfasser: Mun, Seong Yeol, Shin, Kyeong Cheol, Yoon, Ki Chae, Kwak, Jong Seok, Ryu, Hyuk Hyun, Jeong, Yang Hee
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.43.7701