Ultrabroadband Emission Spectrum from a Reverse-Biased 4H-SiC p–n Junction Diode

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2004-10, Vol.43 (10), p.7107-7108
Hauptverfasser: Ono, Shuichi, Arai, Manabu, Kimura, Chikao
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.43.7107